晶体管特性示仪测试二极管漏电流

晶体管特性图示仪测试二极管漏电流时限流电阻要根据电源电压、二极管的击穿电压、二极管的击穿电流等参数进行选择。

电源电压U：是晶体管特性图示加到二极管和限流电阻上的电源电压，一般为三极管击穿电压的120%~200%。

二极管的击穿电压URB：是二极管击穿时的电压，一般要比二极管参数上的耐压要高20%左右。

二极管的击穿电流IRB：二极管击穿后流过二极管的电流，测量时一般选择的击穿电流为最大漏电流的10倍以上。（但反向功耗URB*IRB不能大于二极管额定功耗的1/2）

限流电阻R的选择：R~(U-URB)/IRB

以15SQ045为例：

击穿电压URB：实际击穿电压在55V左右，不同管子有所不同。

测量电源电压U选择：根据实际击穿电压，选择测量电源电压100V。

击穿电流IRB选择：最大击穿电流可选择在1~10mA，如选择2mA.

限流电阻R选择：R~(U-URB)/IRB=(100-55)/2=22.5kΩ，R可选择10~50kΩ之间均可。

实际测量中，测量电源电压U、限流电阻R的选择范围很大。测量电源电压可选择100V、200V或更大，因为测量时加到二极管和限流电阻上的电压是可以慢慢调节加上去的，当调节到显示击穿电流大小合适时可以停止加压的。