半导体peeling是什么意思

脱胶。

在光致抗蚀剂显影后发生的抗蚀剂图形脱离衬底或者倒塌、粘黏的现象。

通常因为衬底的黏性粘附力不足，或图形高宽比过大、重心过高，抗蚀剂图形底部粘附力不足以抵消显影或者后续清洗工序中水或者其他溶剂的表面张力的影响。

因此，需要对衬底做表面处理、涂増粘剤或者增加缓冲层来增加底部粘附力，或者控制高宽比在合适的范围，常见的安全高宽比为3：1，最大不应超过5：1，否则容易发生脱胶现象。

一种半导体硅片脱胶工艺,包括以下步骤：

1、将切割完毕的单晶硅棒倒置在装有特定夹具的中转车内;

2、鼓泡预清洗,即将单晶硅片放置在装满自来水的槽中利用鼓泡管进行预清洗,以去除硅片表面砂浆;

3、使用温水对硅片进行喷淋;

4、对硅片进行超声预清洗,即在将经过喷淋的单晶硅片放置在超声温水中进行浸泡,以去除硅片缝隙的砂浆;

5、使用温水浸泡脱胶,

6、温水鼓泡,将单晶硅片与粘接条之间脱离;

7、温水取片,即将脱离的硅片放置在温水中,擦拭硅片立面残留胶。上述工艺克服了现有脱胶工艺造成的半导体硅片不良率高,实现了不同厚度半导体单晶硅片切割完毕后自动脱胶技术,并能保证硅片表面无花片,崩边、缺口等不良。